RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2404
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link