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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
60
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
1785
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Kingston 9905702-007.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
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