RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
60
En -82% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3740
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905428-105.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link