RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kingston 9905734-063.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
60
Около -82% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3740
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link