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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
60
En -82% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3116
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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