RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
60
Autour de -82% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3116
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link