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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
75
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
75
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
1590
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
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