RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
65
En -195% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3066
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link