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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
65
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
41
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3114
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
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