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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3690
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
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