RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
65
En -183% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2489
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link