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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
65
En -27% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
51
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2597
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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