RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
65
En -103% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2667
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link