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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
65
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2588
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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