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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
65
En -225% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
20
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3234
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
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