RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
65
En -225% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
20
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3152
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link