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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
65
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.3
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
5.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
1874
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965662-015.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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