RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
65
En -225% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
20
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3127
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link