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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
65
En -141% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3296
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Jinyu 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
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