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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
65
En -91% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3052
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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