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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Puntuación global
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
56
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,501.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,161.0
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,501.2
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
381
3266
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
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G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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