Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB

Note globale
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

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Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB

Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 17.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 56
    Autour de -115% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.2 left arrow 1,501.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 4200
    Autour de 5.07 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    56 left arrow 26
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,161.0 left arrow 17.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,501.2 left arrow 13.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    4200 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    381 left arrow 3266
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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