Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Puntuación global
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 15.7
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 56
    En -93% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.3 left arrow 1,501.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 4200
    En 5.07 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    56 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,161.0 left arrow 15.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,501.2 left arrow 13.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    4200 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    381 left arrow 3159
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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