RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Compara
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
56
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,501.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,161.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,501.2
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
381
3159
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link