RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
56
Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
1,501.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,161.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,501.2
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
381
3159
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KB5 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link