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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
47
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2341
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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