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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
47
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2341
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
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