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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
56
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,501.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,161.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,501.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
381
3371
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
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