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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
56
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
1,501.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,161.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,501.2
13.6
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
381
3371
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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