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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Compara
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
59
En -111% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,559.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,505.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,559.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
407
3209
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
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