RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
92
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
49
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2413
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link