RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
92
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
49
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2413
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link