RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Compara
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Puntuación global
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Puntuación global
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
55
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,906.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
55
Velocidad de lectura, GB/s
4,672.4
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,906.4
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
698
2239
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link