RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
60
77
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
60
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2004
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link