RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
77
En -221% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3052
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link