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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
77
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3017
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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