RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
77
En -148% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3055
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Mushkin 991586 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link