RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3385
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link