RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
77
En -166% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2873
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link