RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
77
En -126% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3043
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link