RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
77
En -133% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3141
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link