RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2489
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link