RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
77
En -250% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2728
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link