RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
77
En -250% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2942
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link