RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
77
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2243
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link