RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
77
En -108% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2863
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link