RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
77
En -108% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2863
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link