RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
77
En -126% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3465
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link