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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
77
En -141% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3458
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lenovo 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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