RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
77
En -141% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2955
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link