RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
77
En -250% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2947
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link