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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
77
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
62
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2086
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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